[发明专利]用于具有平面存储器单元的三维存储器的垂直选择器在审
申请号: | 201810229187.0 | 申请日: | 2018-03-20 |
公开(公告)号: | CN109148507A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | S.李 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;G11C11/16 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了用于非易失性存储器的设备、系统和方法。平面非易失性存储器单元的多个层形成三维存储器阵列。多个字线耦接到平面非易失性存储单元。字线可以跨越存储器单元的层水平延伸。多个选择器列耦接到平面非易失性存储单元。选择器列垂直延伸通过存储器单元的层,并且可以包含由同心的一个或多个选择性层围绕的中心导体。一个或多个选择性层可以响应于电压满足阈值而允许电流通过字线与中心导体之间的单元。 | ||
搜索关键词: | 选择器 字线 非易失性存储单元 存储器单元 选择性层 中心导体 非易失性存储器单元 非易失性存储器 三维存储器阵列 平面存储器 三维存储器 电流通过 同心的 垂直 响应 | ||
【主权项】:
1.一种设备,包括:平面非易失性存储器单元的多个层,其形成三维存储器阵列;多个字线,其耦接到所述平面非易失性存储单元,所述字线跨越所述多个层水平延伸;以及多个选择器列,其耦接到所述平面非易失性存储器单元,所述选择器列垂直延伸穿过所述多个层,所述选择器列包括由同心的一个或多个选择性层围绕的中心导体,使得所述一个或多个选择性层响应于电压满足阈值而允许电流通过字线和中心导体之间的单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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