[发明专利]功率半导体器件

摘要

本发明公开了功率半导体器件。一种功率半导体器件包括耦合到第一负载端子和第二负载端子的半导体主体。半导体主体包括：电连接到第一负载端子的第二导电类型的第一掺杂区域；电连接到第二负载端子的第二导电类型的发射极区域；具有第一导电类型且布置在第一掺杂区域和发射极区域之间的漂移区域。漂移区域和第一掺杂区域使得功率半导体器件能够在以下状态下操作：导通状态，在所述导通状态期间，负载端子之间的负载电流沿正向方向传导；正向阻断状态，在所述正向阻断状态期间施加在端子之间的正向电压被阻断；以及反向阻断状态，在所述反向阻断状态期间施加在端子之间的反向电压被阻断。半导体主体进一步包括至少被布置在第一掺杂区域内的复合区。

主权项

1.一种功率半导体器件（1），包括半导体主体（10），所述半导体主体（10）耦合到第一负载端子（11）和第二负载端子（12），并且包括：‑ 第二导电类型的第一掺杂区域（102），电连接到所述第一负载端子（11）；‑ 第二导电类型的发射极区域（1091），电连接到所述第二负载端子（12）；‑ 漂移区域（100），具有第一导电类型并且被布置在所述第一掺杂区域（102）和所述发射极区域（1091）之间；其中，所述漂移区域（100）和所述第一掺杂区域（102）使得所述功率半导体器件（1）能够在以下状态下操作：‑ 导通状态，在所述导通状态期间，负载端子（11、12）之间的负载电流沿正向方向传导；‑ 正向阻断状态，在所述正向阻断状态期间，施加在所述端子（11、12）之间的正向电压被阻断；以及‑ 反向阻断状态，在所述反向阻断状态期间，施加在所述端子（11、12）之间的反向电压被阻断；以及‑ 至少被布置在所述第一掺杂区域（102）内的复合区（159）。