[发明专利]控制脉冲直流PVD形成的材料层中应力变化的方法及设备在审
| 申请号： | 201810230437.2 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN108728809A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·威尔比;史蒂夫·伯吉斯;I·蒙克里夫;克莱夫·韦迪克斯;斯科特·海莫尔;R·辛德曼 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 徐川;姚开丽 |
| 地址： | 英国格*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制脉冲直流物理气相沉积(PVD)形成的材料层中应力变化的方法及设备。该方法包以下步骤：设置一腔室，其包括形成材料层的靶和在其上能够形成材料层的衬底；以及向腔室内引入气体。该方法还包括在腔室内生成等离子体并且将第一磁场施加到靶附近以将所述等离子体基本上定位成邻近该靶。RF偏压被施加到衬底上以将来自等离子体的气体离子吸引到衬底上，并且第二磁场被施加在衬底附近以将来自等离子体的气体离子引导到形成在衬底上的材料层上的选择性区域。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 衬底 材料层 控制脉冲 气体离子 形成材料 应力变化 直流物理气相沉积 施加 室内 选择性区域 磁场施加 引入气体 磁场 邻近 吸引 | ||
【主权项】：
1.一种控制脉冲直流物理气相沉积PVD形成的材料层中应力变化的方法，所述方法包括以下步骤：设置一腔室，所述腔室包括形成所述材料层的靶和其上能够形成所述材料层的衬底；将气体引入所述腔室内；在所述腔室内生成等离子体；在所述靶附近施加第一磁场以将所述等离子体基本上定位成邻近所述靶；给所述衬底施加RF偏压；在所述衬底附近施加第二磁场以将来自所述等离子体的气体离子引导到在所述衬底上形成的所述材料层上的选择性区域，其中，由所述第二磁场引导的气体离子基本上不受所述第一磁场影响。
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