[发明专利]一种掺有半导体β-Ga2O3纳米晶体的有源光纤及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810230656.0 申请日: 2018-03-20
公开(公告)号: CN108483899A 公开(公告)日: 2018-09-04
发明(设计)人: 钱奇;张琪;杨中民 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C03C3/089 分类号: C03C3/089;C03B37/012;C03B37/027;G02B6/02
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 510641 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种掺有半导体β‑Ga2O3纳米晶体的有源光纤及其制备方法,其纤芯以无孔高硅氧玻璃为基质,半导体β‑Ga2O3纳米晶体均匀掺杂在基质内。本发明的制备方法,首先用特定组成的硼硅酸盐玻璃经分相酸浸处理后获得多孔玻璃,然后将多孔玻璃浸渍在Ga3+离子溶液中经水热沉淀,接着将多孔玻璃放在管式炉中经高温烧结后获得纤芯材料,之后用上述纤芯材料和高纯石英玻璃制备出光纤预制棒,最后,将所制备的光纤预制棒拉丝制成有源光纤。本发明一方面补充了稀土掺杂有源光纤难以产生的激光波段,另一方面避免了有源微晶玻璃光纤在拉丝过程中易晶体长大甚至析晶的制备技术难题。
搜索关键词: 制备 源光纤 多孔玻璃 纳米晶体 半导体 光纤预制棒 纤芯材料 基质 高纯石英玻璃 硼硅酸盐玻璃 微晶玻璃光纤 浸渍 高硅氧玻璃 高温烧结 激光波段 技术难题 晶体长大 均匀掺杂 拉丝过程 离子溶液 酸浸处理 稀土掺杂 管式炉 热沉淀 拉丝 无孔 析晶 纤芯 补充
【主权项】:
1.一种掺有半导体β‑Ga2O3纳米晶体的有源光纤,其特征在于:其纤芯以无孔高硅氧玻璃为基质,半导体β‑Ga2O3纳米晶体掺杂在纤芯基质内。
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