[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201810232149.0 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108630757A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 西田真 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法。一个实施方式所涉及的半导体装置的制造方法具备以下工序：在半导体基板的表面形成栅极绝缘膜；在表面形成具有源区、漏区以及隔着栅极绝缘膜而与半导体基板的被源区和漏区夹入的部分对置的栅极电极的至少一个半导体元件；在表面之上形成第一膜；以及用酸性溶液清洗半导体基板。第一膜由在酸性溶液中带电为与构成半导体基板的材料相反的电位的材料构成。形成第一膜的工序是在形成栅极绝缘膜的工序之前进行。第一膜形成为位于在俯视观察时不与形成源区的部分、形成漏区的部分以及形成栅极电极的部分重叠的非有源区域内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 半导体基板 漏区 源区 栅极绝缘膜 酸性溶液 栅极电极 电位 制造 表面形成栅极 半导体元件 非有源区域 表面形成 俯视观察 绝缘膜 膜形成 带电 对置 夹入 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，具备：在半导体基板的表面形成栅极绝缘膜的工序；在所述表面形成具有源区、漏区以及隔着所述栅极绝缘膜而与所述半导体基板的被所述源区和所述漏区夹入的部分对置的栅极电极的至少一个半导体元件的工序；在所述表面之上形成第一膜的工序；以及用酸性溶液清洗所述半导体基板的工序，其中，所述第一膜由在所述酸性溶液中带电为与构成所述半导体基板的材料相反的电位的材料构成，形成所述第一膜的工序是在形成所述栅极绝缘膜的工序之前进行，所述第一膜形成为位于在俯视观察时不与形成所述源区的部分、形成所述漏区的部分以及形成所述栅极电极的部分重叠的非有源区域内。
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