[发明专利]一种半导体激光器芯片金属的剥离方法在审
| 申请号： | 201810232159.4 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108398860A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 欧祥勇;薛正群;张鹏;苏辉;邓仁亮 | 申请（专利权）人： | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350003 福建省福州市鼓楼*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体激光器芯片的金属剥离方法。本发明是用光刻胶做掩膜，在曝光以后、利用反转烘烤、泛曝光、显影和坚膜，使光刻胶图形呈屋檐状倒台；在此基础上淀积金属膜，用剥离液去除光刻胶和多余的金属，完成金属剥离；本发明工艺步骤简单，成品率高，成本低，沉淀的金属形成的屋檐状光刻胶在掩膜区域断开，方便剥离液的渗入，有利于剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶 半导体激光器芯片 金属剥离 剥离液 屋檐状 剥离 金属 光刻胶图形 曝光 工艺步骤 金属形成 掩膜区域 沉淀的 成品率 金属膜 烘烤 淀积 反转 坚膜 显影 掩膜 断开 去除 渗入 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器芯片金属的剥离方法，其步骤包括：步骤S1:用光刻胶将基片匀胶；步骤S2:将匀胶后的基片进行前烘处理，热板温度为90℃‑105℃，时间50秒‑70秒；步骤S3:用光刻版进行常规曝光；步骤S4:将基片放置于热板上进行反转烘处理，热板温度为110℃‑125℃，时间60秒‑100秒；步骤S5:将基片放置在空气中冷却，时间3‑5分钟；步骤S6:将基片进行泛曝光处理，时间60‑90秒；步骤S7:将基片放入显影液显影，使光刻胶图片呈现屋檐状倒台；步骤S8:将基片放入110℃‑125℃热板上进行坚膜，时间60秒‑100秒；步骤S9:将基片处理清洗；步骤S10:将基片放入溅射台溅射或蒸发蒸镀金属膜；步骤S11:将基片放入剥离液中，去除光刻胶和多余金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建中科光芯光电科技有限公司，未经福建中科光芯光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810232159.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
