[发明专利]一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备

摘要

本发明公开一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，包括炉体、气液输送装置、炉腔加热装置、工件放置装置、真空抽气装置以及电气控制系统，其中：所述气液输送装置包括气液混合预热装置以及进气管网，所述进气管网一端与气液混合预热装置连接，另一端设有连接在炉体上；所述炉体的底部设有炉门，所述炉门与驱动该炉门做升降运动的炉门升降机构连接；所述工件放置装置包括工件托盘以及驱动工件托盘转动的托盘驱动机构，该工件放置装置设置于炉门上；所述电气控制系统包括控制器，该控制器分别与气液输送装置、炉腔加热装置、炉门升降机构以及托盘驱动机构进行电连接。该碳化硅沉积处理设备能实现碳化硅薄膜的自动化大批量生产。

主权项

1.一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，其特征在于，包括炉体、用于向炉体输送气液介质的气液输送装置、用于对炉体的炉腔进行加热的炉腔加热装置、用于放置待处理工件的工件放置装置、用于对炉腔进行抽真空的真空抽气装置以及电气控制系统，其中：所述气液输送装置包括气液混合预热装置以及进气管网，所述进气管网一端与气液混合预热装置连接，另一端设有若干个分布在炉体上的充气口；所述炉体的底部设有炉门，所述炉门与驱动该炉门做竖直方向运动以实现炉门开启或关闭的炉门升降机构连接；所述工件放置装置包括工件托盘以及驱动工件托盘转动的托盘驱动机构，该工件放置装置设置于炉门上；所述电气控制系统包括控制器，该控制器分别与气液输送装置、炉腔加热装置、炉门升降机构以及托盘驱动机构进行电连接。