[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

摘要

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。目的在于提高在衬底上形成的膜的品质。衬底处理装置具有：处理衬底的处理室；气化器，其生成向衬底供给的第一气体；第一供给管，其连接于气化器、向处理室供给所述第一气体，且具有控制第一气体的供给定时的第一定时阀；非活性气体供给部，其向气化器导入管和第一供给管中的任一者或两者供给非活性气体，气化器导入管向气化器供给气体；气化器输出管，其从气化器向第一供给管供给第一气体；第一排出部，设置于第一供给管、将第一供给管内的气氛排气；第二排出部，设置于气化器输出管、将气化器内的气氛排气；和控制部，控制第一定时阀、非活性气体供给部、第一排出部和第二排出部。

主权项

1.衬底处理装置，其具有：处理衬底的处理室；气化器，其生成向所述衬底供给的第一气体；第一供给管，其连接于所述气化器、向所述处理室供给所述第一气体，且具有控制所述第一气体的供给定时的第一定时阀；非活性气体供给部，其向气化器导入管和所述第一供给管中的任一者或两者供给非活性气体，其中，所述气化器导入管向所述气化器供给气体；气化器输出管，其从所述气化器向所述第一供给管供给所述第一气体；第一排出部，其设置于所述第一供给管、将所述第一供给管内的气氛排气；第二排出部，其设置于所述气化器输出管、将所述气化器内的气氛排气；和控制部，其控制所述第一定时阀、所述非活性气体供给部、所述第一排出部和所述第二排出部。