[发明专利]一种产生无鞘层等离子体的设备及方法有效
| 申请号： | 201810232924.2 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108419355B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 赵海龙;郑薇薇;林忠英 | 申请（专利权）人： | 台州学院 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京思格颂知识产权代理有限公司 11635 | 代理人： | 王申 |
| 地址： | 318000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种产生无鞘层等离子体的设备及方法，通过在等离子体产生区域的外围设置使等离子体区域外围形成涡旋气流的装置，使等离子体区域向外运动的电子与等离子体区域外围的高密度中性气体气流碰撞损失能量并与离子中和，进而形成无鞘层等离子体。设备包括在等离子体区域的外围均匀排布的多个气体射流源，多个气体射流源使等离子体区域外围形成涡旋气流。本发明通过在等离子体产生区域外围设置涡旋生成设备，通过高密度的中性气体流来碰撞向外运动的电子，通过碰撞中和电子，进而避免在壁面产生鞘层的情况，从而产生无鞘层边界的等离子体，本发明可以与各种等离子体发生设备相结合，为等离子体特性的研究及应用提供条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 产生 无鞘层 等离子体 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种产生无鞘层等离子体的设备，包括等离子体发生设备，其特征在于：在等离子体发生设备产生等离子体区域(0)的外围设置多个气体射流源，所述多个气体射流源在等离子体区域的外围均匀排布，使等离子体区域外围形成涡旋气流。
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