[发明专利]电子组件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810233216.0 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN109427718B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 刘玮玮;翁煇翔 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子组件，其包含芯片、第一保护层、第二保护层、第一导电柱及第二导电柱。所述芯片包含导电衬垫。所述第一保护层安置于所述芯片上。所述第一保护层限定第一开口以暴露所述芯片的所述导电衬垫。所述第二保护层安置于所述第一保护层上。所述第二保护层限定第二开口及第一凹槽。所述第二开口暴露所述芯片的所述导电衬垫。所述第一导电柱安置于所述第二开口内且电连接至所述导电衬垫。所述第二导电柱安置于所述第一凹槽内。所述第一导电柱的高度大体上等于所述第二导电柱的高度。所述第一凹槽的底部表面安置于所述第一保护层的顶部表面与所述第二保护层的顶部表面之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子组件，其包括：芯片，其包含导电衬垫；安置于所述芯片上的第一保护层，所述第一保护层限定第一开口以暴露所述芯片的所述导电衬垫；安置于所述第一保护层上的第二保护层，所述第二保护层限定第二开口及第一凹槽，所述第二开口暴露所述芯片的所述导电衬垫；第一导电柱，其安置于所述第二开口内且电连接至所述导电衬垫；及第二导电柱，其安置于所述第一凹槽内，其中所述第一导电柱的高度大体上等于所述第二导电柱的高度，且所述第一凹槽的底部表面安置于所述第一保护层的顶部表面与所述第二保护层的顶部表面之间。
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