[发明专利]黑硅纳米PIN光电探测器结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810233541.7 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN108321243A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 陶科;贾锐;孙恒超;戴小宛;姜帅;周颖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种黑硅纳米PIN光电探测器结构及其制备方法；其中，所述黑硅纳米PIN光电探测器结构至上而下依次包括：前表面金属电极、前表面减反射膜、前表面氧化硅薄膜、前表面N型重掺区、P型晶体硅衬底、背表面P型重掺区、背表面金属电极；其中，所述前表面N型重掺区采用黑硅纳米结构。本公开黑硅纳米PIN光电探测器结构及其制备方法，大幅提高了探测器的击穿电压，有利于获得更高的光谱响应度。 | ||
| 搜索关键词： | 光电探测器结构 黑硅 前表面 制备 背表面金属电极 前表面金属电极 光谱响应度 氧化硅薄膜 击穿电压 减反射膜 纳米结构 背表面 探测器 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种黑硅纳米PIN光电探测器结构，至上而下依次包括：前表面金属电极、前表面减反射膜、前表面氧化硅薄膜、前表面N型重掺区、P型晶体硅衬底、背表面P型重掺区、背表面金属电极；其中，所述前表面N型重掺区采用黑硅纳米结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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