[发明专利]具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，包括步骤：步骤一、提供一硅衬底，在硅衬底的表面形成栅极结构，栅极结构的侧面形成有侧墙；步骤二、在栅极结构的两侧形成侧面具有∑形状的凹槽，包括分步骤：步骤21、进行硬掩膜层形成前的湿法预处理；步骤22、形成硬掩膜层；步骤23、光刻工艺定义出凹槽的形成区域，依次对硬掩膜层和硅衬底进行刻蚀形成所述凹槽；步骤三、在凹槽中填充锗硅外延层形成嵌入式锗硅外延层；步骤四、进行源漏注入形成源区和漏区。本发明能减少甚至消除嵌入式锗硅外延层的面状缺陷和堆垛层错缺陷，提高器件的电学性能。

主权项

1.一种具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一硅衬底，在所述硅衬底的表面形成栅极结构，所述栅极结构的侧面形成有侧墙；步骤二、在所述栅极结构的两侧形成侧面具有∑形状的凹槽，包括如下分步骤：步骤21、进行硬掩膜层形成前的湿法预处理；步骤22、形成硬掩膜层；步骤23、采用光刻工艺在所述栅极结构的两侧定义出所述凹槽的形成区域，依次对所述凹槽形成区域的所述硬掩膜层和所述硅衬底进行刻蚀形成所述凹槽；步骤三、在所述凹槽中填充锗硅外延层形成嵌入式锗硅外延层，通过步骤21的所述湿法预处理减少或消除所述嵌入式锗硅外延层的面状缺陷和堆垛层错缺陷；步骤四、在形成有所述嵌入式锗硅外延层的所述栅极结构的两侧进行源漏注入形成源区和漏区。