[发明专利]OPC修正方法在审
| 申请号： | 201810234193.5 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108490733A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李镇全;曾翔旸 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种OPC修正方法，包括步骤：步骤一、定义出数据收集的图案和区域；步骤二、采用显影后检查收集显影后各区域对应的图案的大小；步骤三、采用刻蚀后检查收集刻蚀后各区域对应的图案的大小；步骤四、根据步骤二和三收集的数据计算各图案在不同区域的尺寸差并得到图案在各区域中的负载效应；步骤五、根据步骤四的反应了负载效应的各图案在不同区域的尺寸差进行对应图案的OPC修正，通过OPC修正来补偿不同区域的图案的尺寸差。本发明能使光刻刻蚀后不同区域的图案特别是接触孔的尺寸差异变小并都达到目标值范围，能提高工艺窗口范围。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 尺寸差 负载效应 区域对应 刻蚀 显影 尺寸差异 工艺窗口 数据计算 数据收集 接触孔 变小 检查 | ||
【主权项】：
1.一种OPC修正方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、定义出数据收集的图案和区域；步骤二、采用显影后检查收集显影后各区域对应的图案的大小；步骤三、采用刻蚀后检查收集刻蚀后各区域对应的图案的大小；步骤四、根据步骤二和三收集的数据计算各图案在不同区域的尺寸差并得到图案在各区域中的负载效应；步骤五、根据步骤四的反应了负载效应的各图案在不同区域的尺寸差进行对应图案的OPC修正，通过所述OPC修正来补偿不同区域的图案的尺寸差。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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