[发明专利]一种N型IBC电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810235531.7 申请日: 2018-03-21
公开(公告)号: CN108538958B 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 谭鑫;魏一;黎晓璇;刘爱民 申请(专利权)人: 锦州阳光能源有限公司;大连理工大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216
代理公司: 锦州辽西专利事务所(普通合伙) 21225 代理人: 李辉
地址: 121000 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明提供一种N型IBC电池及其制备方法,所述N型IBC电池的制备方法包括如下步骤:硅片双面抛光;硅片抛光面进行单面硼扩散,并用HF酸去除硼硅玻璃;前表面制绒;硅片前表面使用扩散炉进行磷扩散;用PECVD设备在硅片两面镀氮化硅;在硅片背表面使用激光开孔;碱液腐蚀背表面开孔区,再用氢氟酸清洗掉氮化硅;在背表面印刷磷浆,并高温驱入,后清洗;在硅片正表面和背表面均生长二氧化硅和氮化硅进行钝化;硅片背面印刷银电极和银铝浆,进行一次烧结。本发明利用简单的设备及工艺就能实现IBC电池结构的制备,利用激光设备和丝网印刷来制备IBC电池的主要结构,工艺步骤简单,成本低廉,适用于大规模的工业生产。
搜索关键词: 一种 ibc 电池 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种N型IBC电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、用热碱对硅片进行双面抛光,所述硅片为N型硅片;步骤2、对硅片抛光面进行单面硼扩散,形成p+区,结深值为0.7~0.9微米,其方阻为65~80Ω/□,再使用HF酸去除硼硅玻璃;步骤3、前表面制绒;步骤4、硅片前表面使用高温扩散炉进行单面磷扩散;步骤5、用PECVD设备在硅片两面镀氮化硅膜;步骤6、使用激光在硅片背表面的氮化硅层上开孔;步骤7、用NaOH溶液腐蚀背表面开孔区,再用氢氟酸清洗掉氮化硅;步骤8、用丝网印刷机在硅片背表面开孔区域印刷磷浆,再用高温炉进行高温驱入,形成叉指状n+区;步骤9、在硅片前表面和背表面制作SiO2/SiNx叠层钝化膜;步骤10、硅片背面n+区印刷银浆,烘干后再在非开孔区印刷银铝浆放入烧结炉进行一次烧结,最终得到N型IBC电池。
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