[发明专利]一种N型IBC电池及其制备方法有效
申请号: | 201810235531.7 | 申请日: | 2018-03-21 |
公开(公告)号: | CN108538958B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 谭鑫;魏一;黎晓璇;刘爱民 | 申请(专利权)人: | 锦州阳光能源有限公司;大连理工大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 锦州辽西专利事务所(普通合伙) 21225 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 121000 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明提供一种N型IBC电池及其制备方法,所述N型IBC电池的制备方法包括如下步骤:硅片双面抛光;硅片抛光面进行单面硼扩散,并用HF酸去除硼硅玻璃;前表面制绒;硅片前表面使用扩散炉进行磷扩散;用PECVD设备在硅片两面镀氮化硅;在硅片背表面使用激光开孔;碱液腐蚀背表面开孔区,再用氢氟酸清洗掉氮化硅;在背表面印刷磷浆,并高温驱入,后清洗;在硅片正表面和背表面均生长二氧化硅和氮化硅进行钝化;硅片背面印刷银电极和银铝浆,进行一次烧结。本发明利用简单的设备及工艺就能实现IBC电池结构的制备,利用激光设备和丝网印刷来制备IBC电池的主要结构,工艺步骤简单,成本低廉,适用于大规模的工业生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 ibc 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种N型IBC电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、用热碱对硅片进行双面抛光,所述硅片为N型硅片;步骤2、对硅片抛光面进行单面硼扩散,形成p+区,结深值为0.7~0.9微米,其方阻为65~80Ω/□,再使用HF酸去除硼硅玻璃;步骤3、前表面制绒;步骤4、硅片前表面使用高温扩散炉进行单面磷扩散;步骤5、用PECVD设备在硅片两面镀氮化硅膜;步骤6、使用激光在硅片背表面的氮化硅层上开孔;步骤7、用NaOH溶液腐蚀背表面开孔区,再用氢氟酸清洗掉氮化硅;步骤8、用丝网印刷机在硅片背表面开孔区域印刷磷浆,再用高温炉进行高温驱入,形成叉指状n+区;步骤9、在硅片前表面和背表面制作SiO2/SiNx叠层钝化膜;步骤10、硅片背面n+区印刷银浆,烘干后再在非开孔区印刷银铝浆放入烧结炉进行一次烧结,最终得到N型IBC电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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