[发明专利]QLED器件及其制备方法有效
申请号: | 201810236836.X | 申请日: | 2018-03-21 |
公开(公告)号: | CN110299456B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 向超宇;王雄志;朱佩;李雪;辛征航 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艳丽 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种QLED器件及其制备方法。该QLED器件包括层叠设置的阳极、量子点发光层、阴极,所述量子点发光层和所述阳极之间层叠设置有空穴功能层和第一多铁性材料电极化层,且所述第一多铁性材料电极化层在所述空穴功能层和所述量子点发光层之间;和/或所述量子点发光层和所述阴极之间层叠设置有电子功能层和第二多铁性材料电极化层,且所述第二多铁性材料电极化层在所述电子功能层和所述量子点发光层之间;其中,所述第一多铁性材料电极化层、所述第二多铁性材料电极化层为多铁性材料在预设外加磁场作用下产生内电场的材料层。本发明不仅不会损坏器件结构,而且具有可提高载流子注入、改善载流子平衡的效果。 | ||
搜索关键词: | qled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种QLED器件,包括层叠设置的阳极、量子点发光层、阴极,其特征在于,所述量子点发光层和所述阳极之间层叠设置有空穴功能层和第一多铁性材料电极化层,且所述第一多铁性材料电极化层在所述空穴功能层和所述量子点发光层之间;和/或所述量子点发光层和所述阴极之间层叠设置有电子功能层和第二多铁性材料电极化层,且所述第二多铁性材料电极化层在所述电子功能层和所述量子点发光层之间;其中,所述第一多铁性材料电极化层、所述第二多铁性材料电极化层为多铁性材料在预设外加磁场作用下产生内电场的材料层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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H01L51-54 .. 材料选择
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