[发明专利]核壳结构硅碳负极材料及制备方法和负极片有效
申请号: | 201810237059.0 | 申请日: | 2018-03-21 |
公开(公告)号: | CN110299514B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 金鹰;钱雪峰;黄勇;宰建陶;战鹏;李波;陈明 | 申请(专利权)人: | 中天新兴材料有限公司;上海交通大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M4/134;H01M10/0525 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 彭辉剑;汪飞亚 |
地址: | 226400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供的C包覆Si球套球碳硅负极材料以多孔硅空心球为核,基于其多孔通道、空心结构结合碳壳层与核之间的间隙能够充分地缓解充放电过程中的体积变化,保持结构的稳固,确保循环的稳定性;硅核的空心和多孔结构使得锂离子能够同时进行从空心球外部至内部的嵌入和从空心球内部至外部的脱出,增强锂离子的扩散,同时该材料制备过程中避免生成SiC,保证材料的电子和离子导电性,有效提升倍率性能。采用本发明的碳硅负极材料作为电池的负极具有较高的电池容量,较长的循环寿命和较好的倍率性能。 | ||
搜索关键词: | 结构 负极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种核壳结构硅碳负极材料,其特征在于:包括多孔硅空心球构成的核以及包覆所述核的碳壳层,所述核的外侧与所述碳壳层的内侧存在间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中天新兴材料有限公司;上海交通大学,未经中天新兴材料有限公司;上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810237059.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。