[发明专利]一种氟化镁的制备工艺在审
| 申请号： | 201810239313.0 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108285161A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 何朋飞 | 申请（专利权）人： | 何朋飞 |
| 主分类号： | C01F5/28 | 分类号： | C01F5/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225500 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氟化镁的制备工艺，包括如下步骤：步骤S1：以盐湖卤水提锂工艺中形成的氢氧化镁滤饼作为原料，对其除杂，以提取出氢氧化镁物料，氢氧化镁物料中Cl‑的质量分数为0.001%以下；步骤S2：将氢氧化镁物料与氢氟酸混合，发生中和反应形成氟化镁；步骤S3：形成的氟化镁结晶初体经分离洗涤工序、干燥工序，制得氟化镁晶体，本发明得到品质优良的氟化镁晶体，适于光学透镜镀膜、在陶瓷、电子工业的使用，采用盐湖卤水提锂生产过程中废弃物氢氧化镁滤饼作为原料，既解决了在卤水提锂工艺中废弃物氢氧化镁滤饼的掩埋问题，而且有效节省了氟化镁晶体的制备成本，工艺过程简单、能耗低，符合绿色循环经济的理念。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化镁 氢氧化镁滤饼 氟化镁晶体 氢氧化镁 盐湖卤水 制备工艺 提锂 废弃物 分离洗涤 干燥工序 工艺过程 光学透镜 卤水提锂 生产过程 质量分数 中和反应 氢氟酸 电子工业 除杂 镀膜 制备 掩埋 能耗 陶瓷 | ||
【主权项】：
1.一种氟化镁的制备工艺，其特征在于：包括如下步骤：步骤S1：以氢氧化镁滤饼作为原料，对所述氢氧化镁滤饼进行除杂处理，以提取出所述氢氧化镁滤饼中的氢氧化镁物料，所述氢氧化镁物料中Cl‑的质量分数为0.001%以下。步骤S2：将所述氢氧化镁物料与氢氟酸溶液按照氢氧化镁和氢氟酸的物质的量之比为1.35‑1.45：1混合，根据反应方程式：Mg(HO)2+2HF= MgF2+2H2O，发生中和反应形成氟化镁。步骤S3：所述氟化镁结晶初体经分离洗涤工序、干燥工序，制得氟化镁晶体。
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