[发明专利]一种SERS芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810240090.X | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108613959B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 孙海龙;郭清华 | 申请（专利权）人： | 苏州天际创新纳米技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;G01N21/01 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 汪青;周敏 |
| 地址： | 215123 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SERS芯片及其制备方法，所述SERS芯片包括表面具有多个凹坑的衬底和设置在所述凹坑内的纳米结构单元，所述纳米结构单元包括设置在所述凹坑内的第一部以及位于所述凹坑外的第二部。本发明先在衬底的凹坑中生长第一纳米粒子，然后在第一纳米粒子的位置生长第二纳米粒子并使得第二纳米粒子长至凹坑外制得芯片，该芯片的制备工艺简单、效率高、成本低、能大规模地生产高性能SERS芯片，能很好的满足商业化的需求。本发明制得的SERS芯片，可重复性高，热点均匀，性质稳定，可大面积生长，灵敏度高，可以进行多次循环使用，从而节约用户成本，并可以实现多种低浓度有机物的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sers 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SERS芯片，其特征在于：所述SERS芯片包括表面具有多个凹坑的衬底和设置在所述凹坑内的纳米结构单元，所述纳米结构单元包括设置在所述凹坑内的第一部以及位于所述凹坑外的第二部。
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