[发明专利]一种SERS芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201810240133.4 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108872186B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 孙海龙;郭清华 | 申请（专利权）人： | 苏州英菲尼纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 汪青;周敏 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了SERS芯片包括表面具有多个凹坑的衬底和设置在凹坑内的纳米结构单元，纳米结构单元包括一个或多个金属纳米棒，金属纳米棒上部伸出凹坑。本发明通过使金属纳米棒的一端露出凹坑，裸露在外面的SERS活性物质具有高的均匀性和稳定性，本发明的制备方法简单、效率高、成本低、能大规模地生产高性能SERS芯片，能很好的满足商业化的需求。本发明制得的SERS芯片，可重复性高，热点均匀，性质稳定，可大面积生长，灵敏度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sers 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SERS芯片，其特征在于：所述SERS芯片包括表面具有多个凹坑的衬底和设置在所述凹坑内的纳米结构单元，所述纳米结构单元包括一个或多个金属纳米棒，所述金属纳米棒上部伸出所述凹坑。
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