[发明专利]一种WS2/ZnIn2S4复合可见光催化剂及其制备方法在审
申请号: | 201810242718.X | 申请日: | 2018-03-21 |
公开(公告)号: | CN108479810A | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 秦来顺;周佳波;陈达;黄岳祥;孙杏国 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | B01J27/047 | 分类号: | B01J27/047;B01J35/00;B01J35/02;C25B1/06;C25B11/04 |
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地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明属于半导体光催化技术领域,具体涉及一种WS2/ZnIn2S4复合可见光催化剂及其制备方法。本发明提供了一种WS2/ZnIn2S4复合可见光催化剂及其制备方法,其特征在于:助催化剂WS2纳米片通过水热反应与ZnIn2S4颗粒紧密结合在一起,形成了WS2/ZnIn2S4复合可见光催化剂。相对于单纯的ZnIn2S4光催化剂而言,制备的WS2/ZnIn2S4复合可见光催化剂由于形成了半导体异质结构,能够有效地促进光生电荷的分离并降低光生电子‑空穴对的复合,从而能够大大地提高光催化产氢性能。本发明提供的WS2/ZnIn2S4复合可见光催化剂及其制备方法,为设计开发新型高效的可见光催化剂提供了新思路和新途径。 | ||
搜索关键词: | 复合可见光催化剂 制备 半导体光催化技术 半导体异质结构 空穴 可见光催化剂 光催化剂 光生电荷 光生电子 水热反应 助催化剂 光催化 纳米片 新途径 有效地 产氢 复合 开发 | ||
【主权项】:
1.一种WS2/ZnIn2S4复合可见光催化剂,其特征在于:助催化剂WS2纳米片通过水热反应与ZnIn2S4颗粒紧密结合在一起,形成了WS2/ZnIn2S4复合可见光催化剂。
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