[发明专利]晶片加工系统及晶片加工方法在审

专利信息
申请号: 201810242972.X 申请日: 2018-03-23
公开(公告)号: CN108381042A 公开(公告)日: 2018-08-10
发明(设计)人: 成奎栋 申请(专利权)人: 伊欧激光科技(苏州)有限公司
主分类号: B23K26/364 分类号: B23K26/364;H01L21/78
代理公司: 苏州科仁专利代理事务所(特殊普通合伙) 32301 代理人: 陆彩霞;周斌
地址: 215217 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种晶片加工系统及晶片加工方法,所述晶片加工系统包括晶片和激光划线装置,晶片包括半导体基板和若干元器件,晶片的上下表面分别设有相对称的第一加工线、第二加工线,激光划线装置包括第一激光头和第二激光头,两个激光头分别出射沿对应加工线运动的激光束以形成沟槽,加工系统还包括用于刻蚀第一沟槽的等离子蚀刻装置;所述晶片加工方法包括在晶片上下两侧分别安装第一激光头和第二激光头,第一激光头出射沿第一加工线运动的第一激光束、形成第一沟槽,第二激光头出射沿第二加工线运动的第二激光束、形成第二沟槽,利用等离子蚀刻装置对第一沟槽进行刻蚀。本发明能够提高晶片加工速度和生产效率,有利于半导体芯片的大规模生产。
搜索关键词: 激光头 加工线 晶片加工 晶片 激光束 出射 等离子蚀刻装置 激光划线装置 晶片加工系统 刻蚀 半导体基板 半导体芯片 加工系统 上下表面 上下两侧 生产效率 片加工 元器件 种晶
【主权项】:
1.一种晶片加工系统,包括晶片(1)和对所述晶片(1)进行激光加工的激光划线装置(2),所述晶片(1)包括半导体基板(11)和设于所述半导体基板(11)上表面的若干元器件(12),所述晶片(1)的上表面设有用于分隔若干元器件(12)的第一加工线(P1),其特征在于:所述晶片(1)的下表面设有与所述第一加工线(P1)上下对称的第二加工线(P2),所述激光划线装置(2)包括分别布置于所述晶片(1)上下两侧的第一激光头(21)和第二激光头(22),所述第一激光头(21)在晶片(1)上表面出射沿所述第一加工线(P1)运动的第一激光束(L1)以形成第一沟槽(G1),所述第二激光头(22)在晶片(1)下表面出射沿所述第二加工线(P2)运动的第二激光束(L2)以形成第二沟槽(G2),所述加工系统还包括用于刻蚀所述第一沟槽(G1)的等离子蚀刻装置(3)以去除第一沟槽(G1)与第二沟槽(G2)之间的半导体基板(11)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊欧激光科技(苏州)有限公司,未经伊欧激光科技(苏州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810242972.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top