[发明专利]一种COOLMOS用硅外延片的制造方法

摘要

本发明涉及一种COOLMOS用多层硅外延片的制造方法,其技术工艺在于：采用单片常压硅外延设备，首先要选择合适的H2流量、温度和时间来对衬底硅片进行烘烤处理，去除表面的自然氧化层，保证外延前表面质量。其次采用低流量HCL，低抛光速率对衬底表面进行气体抛光，减少光刻和注入环节对硅片表面造成的损伤。外延生长：采用SiHCl3作为硅源，采用较高温度，同时加大主H2流量，以降低生长速率，生长符合COOLMOS器件要求的外延层。

主权项

1.一种COOLMOS用硅外延片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、对硅片进行表面清洗；(2)、对基座进行HC1高温处理，去除基座上残余的反应物；(3)、冷却基座后载入衬底硅片；(4)、升温进行硅片H2烘烤；(5)、气体腐蚀对硅片表面抛光；(6)、抛光后升温，同时掺杂源排外，排外流量根据外延层的电阻率需求所定；(7)、外延生长控制外延层厚度。在上述步骤(5)的气体腐蚀对硅片表面抛光的步骤中，通入0.5‑1slm流量的HCl气体和60‑100slm流量的H2进行抛光，抛光速率为0.1‑0.15μm/min，抛光时间为1‑3min，抛光厚度为0.2‑0.5μm，抛光温度与步骤(4)中H2烘烤同温；在上述步骤(7)外延生长控制外延层厚度步骤中，将TCS、H2和掺杂源同时通入反应腔体进行外延生长。