[发明专利]一种200mm肖特基管用掺磷硅外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201810245132.9 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108428630B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 尤晓杰;邓雪华;刘勇;潘文宾 | 申请（专利权）人： | 南京国盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 211100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种200mm肖特基管用掺磷硅外延片的制备方法，包括如下步骤：预备掺磷硅衬底片：选用掺磷硅衬底片，电阻率0.0012～0.0015Ωcm，衬底片的局部平整度≤0.8μm，背封层为二氧化硅+多晶硅，二氧化硅和多晶硅的厚度均为 |
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| 搜索关键词： | 一种 200 mm 肖特基 管用 掺磷硅 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种200mm肖特基管用掺磷硅外延片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：A、预备掺磷硅衬底片：选用掺磷硅衬底片，电阻率0.0012～0.0015Ωcm，衬底片的局部平整度≤0.8μm，背封层为二氧化硅+多晶硅，二氧化硅和多晶硅的厚度均为![]()
B、第一层包封层：在衬底表面和边缘生长一层厚度为0.5～0.8μm的包封层，同时通入小流量HCl，HCl流量为0.5～1.5L/min；C、第二层外延层：不通入HCl，通入掺杂，生长一层厚度和电阻率符合200mm肖特基管要求的外延层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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