[发明专利]低频防绕射声屏障顶部降噪结构在审
| 申请号： | 201810245418.7 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108396668A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | E01F8/00 | 分类号： | E01F8/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及低频防绕射声屏障顶部降噪结构，由护面板(1)、腔体(2)、扩散体结构(3)构成，护面板(1)与所述的扩散体(3)连结形成复合结构，腔体(2)开设在所述的扩散体结构(3)内，扩散体结构(3)连接在声屏障屏体(5)的顶部。与现有技术相比，本发明能有效降低声屏障顶端的低频绕射声能，扩大声屏障后方声影区的范围，提高声屏障结构的降噪效果，适用于任何需要防低频绕射的噪声控制场所和环境。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散体 降噪结构 绕射声 屏障 腔体 绕射 声屏障顶端 声屏障结构 复合结构 噪声控制 扩大声 声屏障 声影区 降噪 屏体 声能 连结 | ||
【主权项】：
1.低频防绕射声屏障顶部降噪结构，其特征在于，该降噪结构由护面板(1)、腔体(2)、扩散体结构(3)构成，所述的护面板(1)与所述的扩散体(3)连结形成复合结构，所述的腔体(2)开设在所述的扩散体结构(3)内，所述的扩散体结构(3)连接在声屏障屏体(5)的顶部。
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