[发明专利]一种消耗平板磁性装置漏感的方法及基于该方法的平板磁性装置在审
| 申请号： | 201810245481.0 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108511172A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 倪川;陈劲泉 | 申请（专利权）人： | 无锡瓴芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/34 | 分类号： | H01F27/34;H01F27/24;H01F27/28 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 张欢勇 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及平板磁性装置技术领域，具体为一种消耗平板磁性装置漏感的方法及基于该方法的平板磁性装置，具体方法为：选取平板磁性装置中的任意一层绕组层，在该绕组层与前一层之间或者该绕组层与后一层之间平行设置导电介质层，导电介质层上匹配设有用于磁性装置的磁芯的磁柱穿过的通孔和/或缺口，在导电介质层上位于相邻磁柱之间的区域内布设有至少一根隔离线且隔离线的两端分别延伸至磁柱穿过的通孔或者缺口的边缘，隔离线中不具有导电介质，导电介质层的覆盖面积≥所有绕组层产生的磁通的覆盖面积，所有绕组层产生的漏磁磁通会在导电介质层产生感应电流，而基于隔离线的设置不会产生围绕磁芯磁柱的感应电流，从而使得在漏磁磁通被消耗的同时，不导致主磁通的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性装置 导电介质层 隔离线 绕组层 磁柱 感应电流 漏磁磁通 消耗 磁芯 漏感 通孔 穿过 导电介质 平行设置 主磁通 磁通 覆盖 匹配 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种消耗平板磁性装置漏感的方法，其特征在于：选取平板磁性装置中的任意一层绕组层，在该绕组层与前一层之间或者该绕组层与后一层之间平行设置导电介质层，导电介质层上匹配设有用于平板磁性装置的磁芯的磁柱穿过的通孔和/或缺口，在导电介质层上位于相邻磁柱之间的区域内布设有至少一根隔离线且隔离线的两端分别延伸至磁柱穿过的通孔或者缺口的边缘，隔离线中不具有导电介质，导电介质层的覆盖面积大于所有绕组层产生的磁通的覆盖面积，所有绕组层产生的漏磁磁通在导电介质层产生感应电流，且基于隔离线的设置，导电介质层不会产生围绕磁芯磁柱的感应电流，从而使得在平板磁性装置的漏磁磁通被消耗的同时，不会导致主磁通的损耗。
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