[发明专利]宽工作温区低介电损耗的无铅电子陶瓷材料及制备方法在审
| 申请号： | 201810245528.3 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108558392A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 陈勇;姜朝斌;秦路;陈琪;骆迁;张灿灿 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | C04B35/475 | 分类号： | C04B35/475;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 胡建文 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了宽工作温区低介电损耗的无铅电子陶瓷材料，化学通式为化学通式为Na1+xBiTi6O14+0.5x，其中x＝‑0.02～0.02。此外本发明还提供该无铅电子陶瓷材料的制备方法。本发明无铅电子陶瓷材料通过改变Na的含量，提高了陶瓷的介温稳定性，降低了陶瓷的最小介电损耗，得到具有不同性能陶瓷片，从而可应用于不同性能要求的陶瓷电容器件中，应用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 电子陶瓷材料 无铅 低介电损耗 宽工作温区 化学通式 制备 陶瓷 陶瓷电容器 应用范围广 介电损耗 性能要求 陶瓷片 应用 | ||
【主权项】：
1.宽工作温区低介电损耗的无铅电子陶瓷材料，其特征在于：化学通式为Na1+xBiTi6O14+0.5x，其中x＝‑0.02～0.02。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北大学，未经湖北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810245528.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有巨压电响应的无铅压电陶瓷及其制备方法
- 下一篇：耐磨氧化锆陶瓷
