[发明专利]{001}晶面可控暴露的二氧化钛光电极的制备及应用有效
| 申请号： | 201810245972.5 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108911056B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张亚男;韩胜男;黎雷;赵国华 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C02F1/467 | 分类号： | C02F1/467;C02F1/72;C02F1/32;C02F101/34 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及{001}晶面可控暴露的二氧化钛光电极的制备及应用，以钛板为钛源，以氢氟酸为封端剂，通过水热方法在钛基底上原位生长TiO |
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| 搜索关键词： | 001 可控 暴露 氧化 电极 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.{001}晶面可控暴露的二氧化钛光电极的制备方法，其特征在于，该方法以钛板为钛源，以氢氟酸为封端剂，通过水热方法在钛基底上原位生长TiO2花状微球结构，其{001}晶面暴露比可控制在0％～100％。
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