[发明专利]一种用光刻胶制备碳化硅欧姆电极的方法有效
| 申请号： | 201810247357.8 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108550523B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 蒲红斌;王曦;胡丹丹;封先锋 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 王奇 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用光刻胶制备碳化硅欧姆电极的方法，步骤包括：步骤1：采用RCA清洗液‑丙酮‑酒精‑去离子水依次对碳化硅晶片进行清洗；步骤2：在清洗干燥后的碳化硅晶片表面涂胶，使用匀胶机进行匀胶，得到涂胶晶片；步骤3：使用热板对涂胶晶片进行前烘；步骤4：使用光刻机对涂胶晶片进行光刻版掩蔽曝光；步骤5：使用显影液显影；步骤6：使用热板对显影后的光刻胶进行坚膜；步骤7：使用高温真空设备再对坚膜后的光刻胶进行碳化；步骤8：使用高温真空设备再对碳化处理后的光刻胶晶片进行高温退火。本发明的方法，提高了碳化硅欧姆电极的耐高温特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用光 制备 碳化硅 欧姆 电极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用光刻胶制备碳化硅欧姆电极的方法，其特征在于：按照以下步骤实施：步骤1：采用RCA清洗液‑丙酮‑酒精‑去离子水依次对碳化硅晶片进行清洗；步骤2：在清洗干燥后的碳化硅晶片表面涂胶，使用匀胶机进行匀胶，得到涂胶晶片；步骤3：使用热板对涂胶晶片进行前烘；步骤4：使用光刻机对涂胶晶片进行光刻版掩蔽曝光；步骤5：使用显影液显影；步骤6：使用热板对显影后的光刻胶进行坚膜；步骤7：使用高温真空设备再对坚膜后的光刻胶进行碳化；步骤8：使用高温真空设备再对碳化处理后的光刻胶晶片进行高温退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
