[发明专利]一种CMP工艺的控制方法及其控制系统

摘要

本发明公开了一种CMP工艺的控制方法及其控制系统，所述CMP工艺包括对晶圆中介质层和位于所述介质层下方的研磨阻挡层的研磨过程，所述控制方法通过引入一个研磨量修正值△d＝(D0‑D2‑D1)*k，其中，D0为所述研磨阻挡层的初始厚度，D2为研磨后的所述研磨阻挡层的最终厚度，D1为所述研磨阻挡层的去除目标值，k为所述研磨阻挡层的选择比，使得所述控制方法可以根据所述研磨阻挡层的去除目标值D1作为基准，得到研磨量修正值△d，从而不断的更新和修正研磨量d2，使得所述控制系统形成一个修正值的闭环体系，可以实现对研磨量d2的精确控制，提高半导体制程中研磨厚度的均一性，从而提高半导体器件的性能。

主权项

1.一种CMP工艺的控制方法，所述CMP工艺包括对晶圆中介质层和位于所述介质层下方的研磨阻挡层的研磨过程，其特征在于，所述控制方法包括：步骤一：设定研磨量理论值d1，所述研磨量理论值d1等于所述介质层的厚度d0和所述研磨阻挡层的去除目标值D1之和，对其中一片或其中一批次的晶圆进行研磨过程；步骤二：测量出研磨后的所述研磨阻挡层的最终厚度D2；步骤三：计算出研磨量修正值△d，所述研磨量修正值△d＝(D0‑D2‑D1)*k，其中，D0为所述研磨阻挡层的初始厚度，k为所述研磨阻挡层的选择比；步骤四：得出研磨量d2，所述研磨量d2与所述研磨量理论值d1和研磨量修正值△d之和相关；反复重复步骤一至步骤四，直至完成所有晶圆的此次研磨过程，其中，在每次重复步骤一的过程中，用上一次步骤四得到的所述研磨量d2代替所述研磨量理论值d1。