[发明专利]一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法有效
| 申请号： | 201810250007.7 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108615809B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 彭沛;李慕禅;王紫东;田仲政;宋建宏;任黎明;傅云义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法，该阻变存储器阵列中的阻变存储单元具有自整流特性，可以克服交叉存储阵列的漏电流，使得该阻变存储器可以方便构建交叉存储阵列；同时阻变存储器单元的自建整流二极管可以通过电脉冲可控消除，可以实现破坏储阵列正常读写的功能，使得构建的阻变存储阵列具有可控自毁的特性，在敏感数据存储领域具有应用价值。本发明具有自整流和自整流消除特性，在微纳电子学，数据存储等领域具有应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 可控 阻变存储器阵列 自整流 自毁 交叉存储阵列 构建 阻变存储器单元 敏感数据存储 阻变存储单元 整流二极管 阻变存储器 纳电子学 数据存储 阻变存储 电脉冲 漏电流 读写 应用 | ||
【主权项】：
1.一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法，其特征在于，包括：1)制备石墨烯下电极、MoO3介质层和金属上电极，石墨烯是单层或是多层，MoO3介质层厚度在2nm‑1000nm之间；形成具有自整流特性的阻变存储器阵列；2)在阻变存储器阵列由高阻态转变成低阻态的过程中，对上述阻变存储器阵列中的存储单元延长电平的设置时间为30微秒—3秒，或是加大电平的电压值为0.5V‑10V，或同时施加上述设置时间和上述电压值，实现阻变存储器阵列的自毁。
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