[发明专利]一种可分离式导电接触结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201810250276.3 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110364539B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 王琎;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 北京齐碳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京领科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11690 | 代理人： | 张丹 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可分离式导电接触结构及其制备方法，通过悬空柔性导电金属薄膜与导电突起接触面实现可重复插拔式的导电互联，在满足高集成密度的同时可实现垂直互联结构的可重复插拔，从而可实现VLSI信号处理电路芯片等一些昂贵器件的重复使用，有效降低耗材成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可分离 导电 接触 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可分离式导电接触结构，其特征在于：包括凹陷结构和与所述凹陷结构形状相配的凸出状接触体，上层部件或下层部件分别通过所述凹陷结构和所述接触体与对应下层部件或上层部件实现可分离式导电连接；所述接触体为导体或半导体接触体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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