[发明专利]具有全包覆线的互连体

摘要

一种包括全包覆互连体的金属化层和一种形成全包覆互连体的方法。开口形成在电介质层中，其中，所述电介质层具有表面，并且所述开口包括壁和底部。扩散阻挡层和粘合层沉积在所述电介质层上。互连材料沉积在所述电介质层上并且回流到所述开口中，形成互连体。粘合帽盖层和扩散阻挡帽盖层沉积在所述互连体之上。所述互连体被所述粘合层和所述粘合帽盖层环绕，并且所述粘合层和所述粘合帽盖层被所述扩散阻挡层和所述扩散阻挡帽盖层环绕。

主权项

1.一种集成电路结构，包括：电介质材料，所述电介质材料包括硅、碳和氧；位于所述电介质材料中的第一沟槽，所述第一沟槽具有底部和侧壁；位于所述电介质材料中的第二沟槽，所述第二沟槽具有底部和侧壁；沿着所述第一沟槽和所述第二沟槽的底部并且沿着所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层包括钽和氮；沿着所述第一沟槽和所述第二沟槽的底部和侧壁表面位于所述扩散阻挡层上的粘合层，所述粘合层包括钴；位于所述粘合层上且位于所述第一沟槽和所述第二沟槽内的互连材料，所述互连材料包括铜，所述互连材料具有顶表面；位于所述互连材料的顶表面上的帽盖层，所述帽盖层包括钴；以及横向地位于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的气隙。