[发明专利]用于紫外红外双色探测的紫外光电探测器及其制备方法

摘要

用于紫外红外双色探测的紫外光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。探测器为p‑i‑n外延结构，在衬底的Si面上外延生长N型SiC缓冲层并作为p‑i‑n的N型欧姆接触层，在N型SiC缓冲层上外延生长i型层并作为光子吸收层，在i型层上外延一层P+型层并构成紫外探测芯片的p‑i‑n结构；在P+型层的钝化层上刻蚀P型电极窗口并设有P型电极和焊盘；在N型SiC缓冲层的钝化层上刻蚀N型电极窗口并设有N型电极与焊盘。对外延片清洗；先后制备隔离保护倾斜台面，红外信号的透过窗口，SiO2钝化层，P型电极、N型电极、P型焊盘和N型焊盘，红外抗反射层，得用于紫外红外双色探测的紫外光电探测器。

主权项

1.用于紫外红外双色探测的紫外光电探测器，其特征在于为p‑i‑n外延结构，衬底采用双抛4H‑SiC衬底，在双抛4H‑SiC衬底的Si面上外延生长N型SiC缓冲层，所述N型SiC缓冲层作为p‑i‑n的N型欧姆接触层，在N型SiC缓冲层上外延生长i型层，所述i型层作为器件的光子吸收层，在i型层上外延一层P+型层并构成紫外探测芯片的p‑i‑n结构；在P+型层的钝化层上刻蚀P型电极窗口，所述P型电极窗口上设有P型电极和P型焊盘；在N型SiC缓冲层的钝化层上刻蚀N型电极窗口，在N型电极窗口上设有N型电极与N型焊盘。