[发明专利]显示面板、阵列基板、薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201810251761.2 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108461403A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 杨宇桐;黄中浩;王恺;吴旭;周宏儒;王兆君 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786;H01L29/51;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 阚梓瑄;王卫忠 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种显示面板、阵列基板、薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法，涉及显示技术领域。本公开的薄膜晶体管的制造方法包括：在一衬底基板上形成栅极；在栅极上形成栅介质层；在栅介质层上形成氧化物有源层；在氧化物有源层上形成源漏极层；在源漏极层和氧化物有源层上形成钝化层；其中，栅介质层和钝化层中至少一个包括金属氧化物层和绝缘层，且金属氧化物层与氧化物有源层直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物有源层 薄膜晶体管 栅介质层 金属氧化物层 显示面板 阵列基板 钝化层 源漏极 绝缘层 制造 衬底基板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在一衬底基板上形成栅极；在所述栅极上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成氧化物有源层；在所述氧化物有源层上形成源漏极层；在所述源漏极层和所述氧化物有源层上形成钝化层；其中，所述栅介质层和所述钝化层中至少一个包括金属氧化物层和绝缘层，且所述金属氧化物层与所述氧化物有源层直接接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
