[发明专利]一种曝光方法、曝光机、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810252632.5 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110361937B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 樊春华 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/16;G03F7/038 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种曝光方法、曝光机、半导体器件及其制造方法。此曝光方法包括：提供一基底；在所述基底的表面形成光刻胶层；获取对所述光刻胶层进行曝光的第一离焦量；在所述第一离焦量下曝光所述光刻胶层，以在显影后形成具有第一侧壁角的光刻胶。本发明的技术方案，通过离焦曝光在光刻胶层形成较为平坦的斜坡结构，避免了正常曝光时执行的高温烘烤的工艺，实现了低温下平坦的斜坡结构的制作，解决了正常曝光的高温烘烤工艺无法应用于高温敏感半导体器件制作的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 曝光 方法 半导体器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种曝光方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底的表面形成光刻胶层；获取对所述光刻胶层进行曝光的第一离焦量；在所述第一离焦量下曝光所述光刻胶层，以在显影后形成具有第一侧壁角的光刻胶。
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