[发明专利]一种改进型的多样品并行去封装方法有效
| 申请号： | 201810252902.2 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108573903B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 孙万峰;雷淑华;徐佳;袁晓亚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201200 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进型的多样品并行去封装方法，包括步骤S1：提供一烧杯，并制备若干隔板薄片；步骤S2：将若干隔板薄片放入烧杯的内部，使烧杯的内部分隔为若干空间；步骤S3：将若干待处理芯片分别放入若干空间内；步骤S4：对若干待处理芯片同时进行去封装处理。步骤S4包括：步骤S4.1：向烧杯的内部加入去封装溶剂，并加热；步骤S4.2：在若干待处理芯片的封装介质被完全溶解后，将烧杯的内部的溶液倒出；步骤S4.3：取出处理好的芯片。通过本发明的方法可以实现多个样品的并行去封装处理，一次处理即可完成3个以上乃至7个甚至更多个封装芯片的去封装处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进型 多样 并行 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改进型的多样品并行去封装方法，其特征在于，包括：步骤S1：提供一烧杯，并制备若干隔板薄片；步骤S2：将若干所述隔板薄片放入所述烧杯的内部，使所述烧杯的内部分隔为若干空间；步骤S3：将若干待处理芯片分别放入若干所述空间内；步骤S4：对若干所述待处理芯片同时进行去封装处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
