[发明专利]碳纳米管制备系统有效

专利信息
申请号: 201810253208.2 申请日: 2018-03-26
公开(公告)号: CN108408716B 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 勇振中;李清文;金赫华;李达;李志 申请(专利权)人: 苏州捷迪纳米科技有限公司
主分类号: C01B32/16 分类号: C01B32/16
代理公司: 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人: 唐清凯
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种碳纳米管制备系统,包括预生长管,用于碳纳米管生成前原料的前期预备反应。雾化器用于将碳纳米管原料雾化后喷入预生长管内。雾化器设置在预生长管的前端,雾化器具有喷雾输出管,喷雾输出管延伸至预生长管内。生长管,用于碳纳米管的生成,和对生成的碳纳米管进行延续生长。生长管的前端密封连接于预生长管的后端。以及气幕发生器,用于在喷雾输出管的出口周围形成包裹雾化气流的气幕,气幕沿平行预生长管延伸方向延伸。气幕发生器设置在所述预生长管内。本发明的系统在喷雾输出管的周围形成气幕。一方面通过气幕在预生长管中形成层流,稳定气流,另一方面避免杂质或碳纳米管的粘黏,保证碳纳米管的延续性生长。
搜索关键词: 生长 碳纳米管 输出管 喷雾 气幕 雾化器 管内 气幕发生器 备系统 碳纳米 碳纳米管原料 管制 方向延伸 前端密封 稳定气流 雾化气流 层流 延伸 喷入 雾化 粘黏 平行 预备 出口 保证
【主权项】:
1.一种碳纳米管制备系统,其特征在于,包括:/n预生长管,用于碳纳米管生成前原料的前期预备反应;所述预生长管包括第一预生长段和第二预生长段;所述第一预生长段靠近所述预生长管的前端,所述第二预生长段靠近所述预生长管的后端;所述第一预生长段内的温度为200-300摄氏度,所述第二预生长段内的温度为700-950摄氏度;/n雾化器,用于将碳纳米管原料雾化后喷入所述预生长管内;所述雾化器设置在所述预生长管的前端,所述雾化器具有喷雾输出管,所述喷雾输出管延伸至所述预生长管内;/n生长管,用于碳纳米管的生成,和对生成的碳纳米管进行延续生长;所述生长管的前端密封连接于所述预生长管的后端;所述生长管内的温度为1100-1600摄氏度;/n以及气幕发生器,用于在所述喷雾输出管的出口周围形成包裹雾化气流的气幕,所述气幕沿平行所述预生长管延伸方向延伸;所述气幕发生器设置在所述预生长管内。/n
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