[发明专利]图像传感器及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201810253798.9 申请日: 2018-03-26
公开(公告)号: CN108428708A 公开(公告)日: 2018-08-21
发明(设计)人: 周玉;王三坡 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种图像传感器及其形成方法,提供一逻辑基底,在所述逻辑基底中形成暴露金属互连层中顶层金属层的第一开口,并形成防串扰层填充所述第一开口,并与所述顶层金属层相连接。本发明所提供的图像传感器及其形成方法,将所述逻辑基底中器件产生的热量通过金属互连层中的顶层金属层高效地传导至面积较大,且在逻辑基底之上的防串扰层,从而获得了更好的传热及散热效率,避免了因逻辑基底因散热较差、温度过高而导致其逻辑电路的时延及功耗的上升。
搜索关键词: 逻辑基 顶层金属层 图像传感器 金属互连层 防串扰 开口 传热 散热效率 温度过高 散热 功耗 时延 传导 填充 暴露
【主权项】:
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:逻辑基底,所述逻辑基底上形成有一层间介质层,以及在所述层间介质层中形成有至少一层金属互连层,所述层间介质层中形成有第一开口,用于构成一第一连通口,并且部分所述金属互连层暴露在所述第一开口中;以及在所述层间介质层上形成有一防串扰层,所述防串扰层填充所述第一连通口并与所述金属互连层连接;以及,像素基底,通过一键合层键合在所述逻辑基底上,在所述像素基底上形成有光电二极管。
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