[发明专利]13族元素氮化物膜及其叠层体在审
申请号: | 201810254199.9 | 申请日: | 2012-08-09 |
公开(公告)号: | CN108425147A | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 岩井真;平尾崇行;吉野隆史 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | C30B19/02 | 分类号: | C30B19/02;C30B29/40;H01L21/02;H01L33/32 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 汤国华 |
地址: | 日本国爱知县名*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在晶种基板(11)上,通过助熔剂法由含有助熔剂及13族元素的熔液,于含氮氛围下育成13族元素氮化物(3)。13族元素氮化物膜(3)含有夹杂物分布层(3a)和夹杂物缺乏层(3b),所述夹杂物分布层(3a)被设置于自晶种基板(11)侧的界面起50μm以下的区域,且分布有源自熔液的构成成分的夹杂物,所述夹杂物缺乏层(3b)被设置于该夹杂物分布层(3a)上。 | ||
搜索关键词: | 族元素 夹杂物分布 夹杂物 氮化物膜 晶种基板 助熔剂 熔液 氮化物 叠层体 | ||
【主权项】:
1.一种13族元素氮化物膜,是在晶种基板上通过助熔剂法从含有助熔剂及13族元素的熔液于含氮氛围下育成的13族元素氮化物膜,其特征在于,所述13族元素氮化物膜含有夹杂物分布层和夹杂物缺乏层,所述夹杂物分布层被设置于自所述13族元素氮化物膜的所述晶种基板侧的界面起50μm以下的区域,且分布有源自所述熔液的成分的夹杂物,所述夹杂物缺乏层被设置于该夹杂物分布层上;所述夹杂物是以倍率200倍的透射型光学显微镜观测到的异相;所述夹杂物分布层的夹杂物面积比率为1%以上、10%以下,所述夹杂物缺乏层的夹杂物面积比率为不足1%;沿着所述13族元素氮化物膜的横截面观察时,所述夹杂物分布层中的所述夹杂物的面积的最大值为20~60μm2。
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