[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810254580.5 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108447952B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;郭炳磊;舒辉;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、N型半导体层、质量改善层、多量子阱层和P型半导体层，质量改善层包括依次层叠的应力释放层和缺陷阻挡层，应力释放层包括依次层叠的至少两个铟镓氮层，至少两个铟镓氮层中铟组分的含量沿应力释放层的层叠方向逐层减少；缺陷阻挡层包括依次层叠的至少两个铝铟镓氮层，至少两个铝铟镓氮层中铝组分的含量沿缺陷阻挡层的层叠方向逐层减少，至少两个铝铟镓氮层中铟组分的含量沿缺陷阻挡层的层叠方向逐层增加。本发明可以释放应力和阻挡缺陷延伸，提高长晶质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括质量改善层，所述质量改善层设置在所述N型半导体层和所述多量子阱层之间；所述质量改善层包括依次层叠的应力释放层和缺陷阻挡层，所述应力释放层包括依次层叠的至少两个铟镓氮层，所述至少两个铟镓氮层中铟组分的含量沿所述应力释放层的层叠方向逐层减少；所述缺陷阻挡层包括依次层叠的至少两个铝铟镓氮层，所述至少两个铝铟镓氮层中铝组分的含量沿所述缺陷阻挡层的层叠方向逐层减少，所述至少两个铝铟镓氮层中铟组分的含量沿所述缺陷阻挡层的层叠方向逐层增加。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810254580.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种提高发光效率的LED外延生长方法
- 下一篇：一种氮化物发光二极管组件
