[发明专利]一种确定FeRAM敏感参数的方法及装置在审
| 申请号： | 201810255157.7 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108492847A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 郭红霞;秦丽;盛江坤;欧阳晓平;丁李利;钟向丽;郭维新;李波;张阳;琚安安;魏佳男 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 宋静娜;郝传鑫 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种确定FeRAM敏感参数的方法及装置，属于空间辐射损伤效应及抗辐射加固领域。该方法包括：从完成辐射的FeRAM内回读第一数据，并将所述回读数据与在辐射之前写入所述FeRAM内的第二数据进行匹配，将匹配合格的所述FeRAM确定为第一FeRAM；每到设定的辐射剂量点时，通过测试仪器获取所述第一FeRAM的DC参数和AC参数，通过QMU公式分别对所述DC参数和所述AC参数进行分析，当根据QMU公式确定的可信度比值小于1时，确定所述DC参数或所述AC参数内包括的一个参数失效。 | ||
| 搜索关键词： | 敏感参数 回读 匹配 测试仪器 第一数据 辐射剂量 空间辐射 辐射 抗辐射 可信度 写入 损伤 分析 | ||
【主权项】：
1.一种确定FeRAM敏感参数的方法，其特征在于，包括：从完成辐射的FeRAM内回读第一数据，并将所述回读数据与在辐射之前写入所述FeRAM内的第二数据进行匹配，将匹配合格的所述FeRAM确定为第一FeRAM；每到设定的辐射剂量点时，通过测试仪器获取所述第一FeRAM的DC参数和AC参数，通过QMU公式分别对所述DC参数和所述AC参数进行分析，当根据QMU公式确定的可信度比值小于1时，确定所述DC参数或所述AC参数内包括的一个参数失效。
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