[发明专利]一种用于柔性衬底上低温生长铜铟镓硒薄膜太阳电池的高温裂解硒蒸发源在审
| 申请号： | 201810256074.X | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108425091A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张力;黄茜;安世崇 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C23C14/20 | 分类号： | C23C14/20;C23C14/52;H01L31/032 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种用于柔性衬底上低温生长铜铟镓硒薄膜太阳电池的高温裂解硒蒸发源，包括：坩埚加热蒸发部分；硒原子团的高温裂解部分；高温裂解硒蒸发源控制电路。通过对硒原子团的高温裂解，提高蒸发的硒原子在薄膜表面迁移速率和反应活性，使其更容易与金属Cu、In、Ga原子化合，更容易在薄膜表面和内部扩散，改善低温沉积CIGS薄膜的结晶质量，解决在柔性PI衬底上低温生长高质量CIGS薄膜的问题，促进柔性PI衬底CIGS薄膜太阳电池的工业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 高温裂解 衬底 低温生长 蒸发源 原子团 铜铟镓硒薄膜 薄膜表面 工业化应用 低温沉积 反应活性 加热蒸发 控制电路 速率和 硒原子 坩埚 化合 蒸发 迁移 金属 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种用于柔性衬底上低温生长铜铟镓硒薄膜太阳电池的高温裂解硒蒸发源，包括以下三个部分：第一部分为坩埚加热蒸发部分；第二部分为热蒸发的Se原子团的高温裂解部分；第三部分为高温裂解硒蒸发源控制电路；所述坩埚加热蒸发部分，过加热坩埚中的Se原料，产生Se蒸汽原子团；所述Se原子团的高温裂解部分，高温裂解加热装置在通电情况下产生高温（600‑1200℃），从坩埚蒸发的Se大原子团通过高温裂解装置时，被高温裂解成Se的小分子和原子，高温裂解后的Se小分子和原子到达衬底，与Cu、In、Ga 金属化合形成 CIGS 薄膜；所述高温裂解Se蒸发源的控制电路包括两个部分：第一部分是Se蒸发源的坩埚加热系统，通过PID系统和热电偶控制Se坩埚加热的温度；第二部分为高温裂解装置的控制系统，通过PID系统和热电偶控制流过灯丝电流和灯丝加热温度，进而控制高温裂解装置的裂解温度。
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