[发明专利]一种碲化钽二维材料的合成及其应用有效
| 申请号： | 201810256162.X | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108341402B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 段曦东;段镶锋;赵蓓 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L29/78;H01L29/24;G01R33/12;C30B29/46 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 盛武生;魏娟 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二维材料制备领域，具体公开了一种TaTe2二维材料的制备方法，其特征在于：TaCl5、Te粉经加热挥发，并在载气作用以及620‑700℃的沉积温度下生长在基底表面，制得所述的TaTe2二维材料；所述的载气为保护气和H2的混合气氛，其中，保护气的流量为20～40sccm；H2的流量为5～10sccm。本发明还包括采用所述的制备方法制得的TaTe2二维材料以及该材料在制备光学器件中的应用。本发明克服了Te活性低、难于制备二维材料的技术问题，首次成功合成出了TaTe2二维材料，且通过大量研究，获得了制得优于性能的TaTe2二维材料。 | ||
| 搜索关键词： | 二维材料 制备 保护气 载气 合成 制备光学器件 混合气氛 基底表面 加热挥发 碲化 沉积 应用 生长 成功 研究 | ||
【主权项】：
1.一种TaTe2二维材料的制备方法，其特征在于:将质量比为1～2:1～2的TaCl5、Te粉经加热挥发，并在载气作用以及600‑700℃的沉积温度下生长在基底表面，制得所述的TaTe2二维材料；所述的载气为保护气和H2的混合气氛，其中，保护气的流量为20～40sccm；H2的流量为5～10sccm；TaCl5加热挥发的温度为150～250℃；Te的挥发温度与沉积温度的温度差小于或等于30℃。
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