[发明专利]一种实现柔性衬底高效铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法在审
申请号: | 201810256309.5 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN108493262A | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 张力;黄茜;安世崇 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/0749;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种实现柔性衬底高效铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法,采用高温裂解硒蒸发源,提高硒原子在薄膜表面迁移速率和反应活性,从而提高薄膜的质量,实现在柔性衬底之上生长高结晶质量的铜铟镓硒薄膜材料,获得高效铜铟镓硒化合物薄膜太阳电池。本发明的有益之处在于有效解决了在柔性衬底之上低温生长高质量铜铟镓硒薄膜的问题,促进柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳电池的工业化应用。 | ||
搜索关键词: | 铜铟镓硒薄膜 衬底 铜铟镓硒化合物薄膜 工业化应用 薄膜表面 低温生长 反应活性 高温裂解 有效解决 高结晶 速率和 硒原子 蒸发源 薄膜 迁移 生长 | ||
【主权项】:
1.一种实现柔性衬底高效铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法,包括在CIGS吸收层沉积过程中引入高温裂解硒蒸发源,以提高提高硒原子在薄膜表面迁移速率和反应活性。所述高温裂解硒蒸发源包括:第一部分,坩埚加热蒸发部分,通过加热坩埚中的硒原料,产生S蒸汽原子团;第二部分,硒原子团的高温裂解部分,在通电情况下产生高温(400‑1000℃),从坩埚蒸发的Se大原子团通过高温裂解装置时,被高温裂解成Se的小分子和原子,高温裂解后的Se小分子和原子到达衬底,与Cu、In、Ga 金属化合形成 CIGS 薄膜;第三部分,高温裂解硒蒸发源控制电路,一方面通过PID系统和热电偶控制Se坩埚加热的温度,另一方面通过PID系统和热电偶控制流过灯丝电流和灯丝加热温度,进而控制高温裂解装置的裂解温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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