[发明专利]宽温低损耗高阻抗MnZn软磁铁氧体材料及制备方法有效
| 申请号： | 201810256374.8 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108530050B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 孙科;杨潇斐;余忠;郭荣迪;蒋晓娜;兰中文;邬传健 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/38 | 分类号： | C04B35/38;C04B35/64;H01F1/34 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
宽温低损耗高阻抗MnZn软磁铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明的铁氧体材料包括主成分和添加剂，其特征在于，主成分包括主料和辅料，所述主料包括52.0～55.0mol％Fe |
||
| 搜索关键词： | 宽温低 损耗 阻抗 mnzn 磁铁 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.宽温低损耗高阻抗MnZn软磁铁氧体材料，包括主成分和添加剂，其特征在于，主成分包括主料和辅料，所述主料包括52.0～55.0mol％Fe2O3和9.5～12.5mol％ZnO，余量为MnO，以主料的重量为计算基准，辅料为0.03～0.05wt％的CaO；按主成分的重量为计算基准，以氧化物计算，添加剂包括：0.05～0.08wt％纳米BaTiO3、0.001～0.05wt％Bi2O3、0.001～0.035wt％CaO、0.001～0.02wt％Nb2O5、0.003～0.20wt％HfO2、0.08～0.30wt％Co2O3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810256374.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
