[发明专利]一种具有优异热电性能的高规整度聚噻吩薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201810256756.0 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108395556B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 朱道本;张嘉佳;徐伟;孙祎萌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L65/00;C08G61/12;C25B3/00;H01L35/24 |
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| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种具有优异热电性能的高规整度聚噻吩薄膜及其制备方法。该方法为在BFEE/DTBP体系中恒电流电化学聚合制备聚噻吩的方法，聚噻吩薄膜内部结构的形貌可以通过电化学聚合过程中的电流密度大小来调控，随着电流密度增大，聚噻吩薄膜内部有纳米片层出现，在1mA cm |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 优异 热电 性能 规整 噻吩 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备聚噻吩薄膜的方法，包括如下步骤：以噻吩单体、质子清除剂和电解液为原料，利用恒电流法制备得到所述聚噻吩薄膜。
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