[发明专利]加工方法有效
申请号: | 201810257275.1 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN108695246B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 竹之内研二 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种加工方法,对与切断预定线重叠地形成有包含金属的层叠体的板状被加工物加工时,能够维持加工品质并提高加工速度。其对与切断预定线重叠地形成有包含金属的层叠体的板状被加工物进行加工,包括:第一保持步骤,用第一保持工作台对被加工物的层叠体侧进行保持;干法蚀刻步骤,隔着设置于除切断预定线外的区域的掩模材料对被加工物实施干法蚀刻,沿着切断预定线残留层叠体地形成蚀刻槽;第二保持步骤,用第二保持工作台对被加工物的层叠体侧或其相反侧进行保持;切削步骤,用切削刀具对蚀刻槽的底部进行切削,将被加工物与层叠体一起沿着切断预定线切断,在切削步骤中,一边对被加工物供给包含有机酸和氧化剂的切削液,一边执行切削。 | ||
搜索关键词: | 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种加工方法,该加工方法对与切断预定线重叠地形成有包含金属的层叠体的板状的被加工物进行加工,其特征在于,该加工方法具备下述步骤:第一保持步骤,利用第一保持工作台对被加工物的该层叠体侧进行保持;干法蚀刻步骤,在实施该第一保持步骤后,隔着设置于除该切断预定线外的区域的掩模材料对被加工物实施干法蚀刻,由此沿着该切断预定线以残留该层叠体的方式形成蚀刻槽;第二保持步骤,在实施该干法蚀刻步骤后,利用第二保持工作台对被加工物的该层叠体侧或该层叠体的相反侧进行保持;和切削步骤,在实施该第二保持步骤后,利用切削刀具对该蚀刻槽的底部进行切削,将被加工物与该层叠体一起沿着该切断预定线切断,在该切削步骤中,一边对被加工物供给包含有机酸和氧化剂的切削液,一边执行切削。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造