[发明专利]形成气隙及在晶体管的主动区上面的栅极接触的方法

摘要

本发明涉及形成气隙及在晶体管的主动区上面的栅极接触的方法，一种方法包括进行刻蚀程序以界定使栅极结构的上表面及诸侧壁其中至少一部分曝露的栅极凹穴、以及在栅极结构的受曝露侧壁相邻处形成取代间隔物结构，其中，取代间隔物结构使栅极结构的上表面的一部分曝露并且包括至少一个空气空间。在此例中，该方法也包括在栅极凹穴中形成保形刻蚀终止层及取代栅极覆盖结构、选择性移除取代栅极覆盖结构的一部分及保形刻蚀终止层的一部分以便藉此使栅极结构的上表面曝露、以及在传导栅极接触开口中形成传导栅极接触结构(CB)，其中，整个传导栅极接触结构(CB)垂直置于主动区上面。

主权项

1.一种形成传导栅极接触结构(CB)的方法，用于在半导电性衬底中所界定的主动区上面形成的晶体管，该晶体管包含具有上表面与侧壁的栅极结构以及置于该栅极结构的该侧壁相邻处的初始侧壁间隔物，该方法包含：移除至少该初始侧壁间隔物的至少一部分，以便藉此界定使该栅极结构的该上表面及该侧壁的至少一部分曝露的栅极凹穴；在该栅极凹穴中形成取代间隔物结构，其中，该取代间隔物结构使该栅极结构的该上表面的一部分曝露，并且其中，在该栅极结构的至少一个侧壁的至少一部分相邻处的该取代间隔物结构中形成至少一个空气空间；在该取代间隔物结构上面的该栅极凹穴中以及该栅极结构的该上表面的受曝露的该部分上形成取代栅极覆盖结构，该取代栅极覆盖结构包含置于保形刻蚀终止层上面的栅极覆盖材料；通过选择性移除该取代栅极覆盖结构的一部分来形成垂直置于该主动区上面的传导栅极接触开口，以便藉此使该栅极结构的该上表面的至少一部分曝露；以及在该传导栅极接触开口中形成该传导栅极接触结构(CB)，其中，该传导栅极接触结构(CB)的整体垂直置于该主动区上面。