[发明专利]一种横向晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供了一种横向晶体管及其制作方法，涉及半导体芯片技术领域，首先，提供SOI型衬底，形成氧化硅阻挡层，形成第一PB区和第二PB区；其次，涂覆光刻胶层，在光刻胶层上形成集电极沟槽，去除剩余光刻胶层，形成第一N+多晶硅区、第二N+多晶硅区和第三N+多晶硅区；然后，对器件进行高温快速退火处理，形成N+扩散区，最后，形成介质隔离层和P+传导区，形成基极金属、发射极金属和集电极金属。该技术方案实现了器件内PN结掺杂浓度的均匀分布，提高了发射极的发射效率，改善了器件的电流能力，同时降低了器件制作工艺的难度，保证了器件质量的稳定性，进而缓解了现有技术存在的器件发射极发射率低、电流放大能力差的技术问题。

主权项

1.一种横向晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供SOI型衬底，所述SOI型衬底包括：N+硅层、氧化硅绝缘层和N‑硅层；步骤二：在所述SOI型衬底的表面沉淀形成氧化硅阻挡层；步骤三：在所述氧化硅阻挡层上采用光刻和刻蚀工艺形成发射极沟槽，所述发射极沟槽延伸至所述氧化硅绝缘层的上表面；步骤四：采用侧向注入或固态源扩散的方式在位于所述发射极沟槽的侧壁上的N‑硅层内形成第一PB区和第二PB区；步骤五：在器件的表面及所述发射极沟槽内部涂覆光刻胶层；步骤六：在所述光刻胶层上通过刻蚀形成集电极沟槽，所述集电极沟槽延伸至所述N+硅层的上表面；步骤七：去除剩余所述光刻胶层，在所述氧化硅阻挡层的上表面、发射极沟槽内部和集电极沟槽内部填充N+掺杂多晶硅，形成N+多晶硅层；步骤八：以氧化硅阻挡层为界，对所述N+多晶硅层进行平坦化研磨，形成位于所述发射极沟槽内部的第一N+多晶硅区，以及，分别位于所述集电极沟槽内的第二N+多晶硅区和第三N+多晶硅区；步骤九：对器件进行高温快速退火处理，在所述第一N+多晶硅区、第二N+多晶硅区和第三N+多晶硅区周围形成N+扩散区，所述N+扩散区包括：分别与所述第一PB区和第二PB区相接触的N+发射极区、与所述N‑硅层相接触的N+集电极区、以及与所述N+硅层相接触的N+接触区；步骤十：在器件的上表面生长形成介质隔离层；步骤十一：在所述介质隔离层上光刻形成接触孔，所述接触孔分别延伸至所述第一PB区、第二PB区和所述第一N+多晶硅区的上表面，在所述接触孔内进行P+注入形成P+传导区，并在所述第一PB区和第二PB区上方相对应的P+传导区上表面分别通过金属层淀积和刻蚀形成基极金属，在所述第一N+多晶硅区上方相对应的P+传导区上表面通过金属层淀积和刻蚀形成发射极金属；步骤十二：在器件的底面形成集电极金属。