[发明专利]包括可变电阻材料层的存储器件

摘要

提供了一种存储器件。该存储器件包括可变电阻层。选择器件层电连接到可变电阻层。选择器件层包括具有根据下面的化学式1的组成的硫族化合物开关材料，[GeASeBTeC](1‑U)[X]U···(1)其中，0.20≤A≤0.40，0.40≤B≤0.70，0.05≤C≤0.25，A+B+C＝1，0.0≤U≤0.20，并且X是从硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、磷(P)或硫(S)中选择的至少一种。

主权项

1.一种存储器件，包括：可变电阻层；以及电连接到所述可变电阻层的选择器件层，其中所述选择器件层包括具有根据下面的化学式1的组成的硫族化合物开关材料，[GeASeBTeC](1‑U)[X]U··················(1)其中，0.20≤A≤0.40，0.40≤B≤0.70，0.05≤C≤0.25，A+B+C＝1，0.0≤U≤0.20，并且其中X是从硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、磷(P)或硫(S)中选择的至少一种。